STD20NF10 Todos los transistores

 

STD20NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD20NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD20NF10 Datasheet (PDF)

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STD20NF10

STD20NF10N-channel 100V - 0.038 - 100A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD20NF10 100V

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STD20NF10

STD20NF10N-channel 100V - 0.038 - 100A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD20NF10 100V

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STD20NF10

STD20NF06N-channel 60V - 0.032 - 24A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD20NF06 60V

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STD20NF10

STD20NF06LSTD20NF06L-1N-channel 60V - 0.032 - 24A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD20NF06L 60V

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History: SI5441BDC | FQAF40N25 | SML10B75XX | OSG65R1K4PF | SI4946BEY

 

 
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