STD25NF10 Todos los transistores

 

STD25NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD25NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD25NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  st
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STD25NF10

STD25NF10N-channel 100V - 0.033 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD25NF10 100V

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STD25NF10

STD25NF10LN-channel 100V - 0.030 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD25NF10L 100V

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STD25NF10

STD25NF10LAN-channel 100 V, 0.030 , 25 A DPAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTD25NF10LA 100 V

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STD25NF10

STD25NF10LN-channel 100V - 0.030 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD25NF10L 100V

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History: WSF50N10G | TK6A65D | FQA9N90C_F109

 

 
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