STD2HNK60Z-1 Todos los transistores

 

STD2HNK60Z-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD2HNK60Z-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 45 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: IPAK

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STD2HNK60Z-1 Datasheet (PDF)

1.1. std2hnk60z stf2hnk60z stq2hnk60zr-ap.pdf Size:501K _st

STD2HNK60Z-1
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STD2HNK60Z - STD2HNK60Z-1 STF2HNK60Z - STQ2HNK60ZR-AP N-channel 600V - 4.4Ω - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PTOT 3 3 2 1 STD2HNK60Z 600V <4.8Ω 2A 45W 1 DPAK STD2HNK60Z-1 600V <4.8Ω 2A 45W IPAK STF2HNK60Z 600V <4.8Ω 2A 20W STQ2HNK60ZR-AP 600V <4.8Ω 0.5A 3W ■ Gate charge minimized 3 ■ 1

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