STD2HNK60Z-1 Todos los transistores

 

STD2HNK60Z-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD2HNK60Z-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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STD2HNK60Z-1 Datasheet (PDF)

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STD2HNK60Z-1

STD2HNK60Z, STD2HNK60Z-1 STF2HNK60Z, STD2HNK60Z-APN-channel 600 V, 4.4 , 2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-92-TO-220FP-DPAK-IPAK packagesDatasheet production dataFeatures TABRDS(on) 3Order codes VDSS max. ID PTOT3121DPAKSTD2HNK60Z 600 V

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STD2HNK60Z-1

STD2HNK60Z, STD2HNK60Z-1 STF2HNK60Z, STQ2HNK60ZR-APDatasheetN-channel 600 V, 3.5 typ., 2 A SuperMESH Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220FP and TO-92 packagesFeaturesVDS RDS(on)max. IDOrder code PackageSTD2HNK60Z DPAKSTD2HNK60Z-1 2 A IPAK600 V 4.8 STF2HNK60Z TO-220FPSTQ2HNK60ZR-AP 0.5 A TO-92 Extremely high dv/dt capability 100% avalanche testedD(2, TA

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STD2HNK60Z-1

STD2HNK60Z - STD2HNK60Z-1STF2HNK60Z - STQ2HNK60ZR-APN-channel 600V - 4.4 - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PTOT3321STD2HNK60Z 600V

Otros transistores... STD20NF06L , STD20NF10 , STD20NF20 , STD25NF10 , STD25NF10LA , STD26NF10 , STD27N3LH5 , STD2HNK60Z , IRF3205 , STD2N62K3 , STD2NC45-1 , STD2NK100Z , STD2NK60Z-1 , STD2NK70Z , STD2NK90Z , STD2NK90Z-1 , STD30NF03L .

History: SML1004RKN | UT8205AG-AG6 | RJK0303DPC | IPU78CN10N | BLM4953A | NDH8503N | IPP180N10N3G

 

 
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