STD2NC45-1 Todos los transistores

 

STD2NC45-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD2NC45-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STD2NC45-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  st
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STD2NC45-1

STD2NC45-1N-channel 450 V, 4.1 , 1.5 A, IPAKSuperMESH Power MOSFETFeatures Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Gate charge minimized New high voltage benchmark321ApplicationIPAK Switching applicationsDescriptionThe SuperMESH series is obtained through an extreme optimization of STs well established strip-based PowerM

 6.1. Size:391K  st
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STD2NC45-1

STD2NC45-1STQ1NC45N-CHANNEL 450V - 4.1 - 1.5 A IPAK / TO-92SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD2NC45-1 450 V

 7.1. Size:249K  st
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STD2NC45-1

STD2NC40-1N-CHANNEL 400V - 4.7 - 1.5A IPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD2NC40-1 400V

 8.1. Size:442K  st
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STD2NC45-1

STD2NC50STD2NC50-1N-CHANNEL 500V - 3 - 2.2A DPAK/IPAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD2NC50 500 V

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History: CS10N70FA9D

 

 
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