STD40NF10 Todos los transistores

 

STD40NF10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD40NF10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 298 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD40NF10 datasheet

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STD40NF10

STP40NF10 STD40NF10 - STB40NF10 N-CHANNEL 100V - 0.024 - 50A TO-220/DPAK/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP40NF10 100 V

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STD40NF10

STD40NF10 Datasheet N-channel 100 V, 25 m typ., 50 A, STripFET II Power MOSFET in a DPAK package Features VDS RDS(on) max. ID Type TAB STD40NF10 100 V 28 m 50 A 3 2 1 Exceptional dv/dt capability DPAK 100% avalanche tested Low gate charge D(2, TAB) Applications Switching applications G(1) Description This Power MOSFET series has been developed using

 ..3. Size:373K  st
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STD40NF10

STD40NF10 STP40NF10 N-channel 100V - 0.025 - 50A TO-220 / DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) Max ID STD40NF10 100V

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STD40NF10

STD40NF06 N-CHANNEL 60V - 0.024 - 40A DPAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD40NF06 60 V

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History: AFN4172WSS8 | MXP1018CT | HY4306A | IRLU110

 

 

 

 

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