STD40NF10 Todos los transistores

 

STD40NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD40NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 298 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD40NF10 Datasheet (PDF)

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STD40NF10

STP40NF10STD40NF10 - STB40NF10N-CHANNEL 100V - 0.024 - 50A TO-220/DPAK/D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP40NF10 100 V

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STD40NF10

STD40NF10DatasheetN-channel 100 V, 25 m typ., 50 A, STripFET II Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDTypeTABSTD40NF10 100 V 28 m 50 A321 Exceptional dv/dt capabilityDPAK 100% avalanche tested Low gate chargeD(2, TAB)Applications Switching applicationsG(1)DescriptionThis Power MOSFET series has been developed using

 ..3. Size:373K  st
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STD40NF10

STD40NF10STP40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A TO-220 / DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) Max IDSTD40NF10 100V

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STD40NF10

STD40NF06N-CHANNEL 60V - 0.024 - 40A DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD40NF06 60 V

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History: NP100N055NUH | SQM120N06-3M5L | FQB4N50TM | SI7115DN | FMI12N50E | UPA2735GR | SPE65R360G

 

 
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