STD45NF75 Todos los transistores

 

STD45NF75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD45NF75
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD45NF75 Datasheet (PDF)

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STD45NF75

STD45NF75N-channel 75 V, 0.018 , 40 A DPAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD45NF75 75 V

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STD45NF75

STD45NF75N-channel 75 V, 0.018 , 40 A DPAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD45NF75 75 V

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STD45NF75

STD45N10F7, STI45N10F7, STP45N10F7N-channel 100 V, 0.0145 typ., 45 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in DPAK, I2PAK and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) 3 Order codes VDS ID PTOTmax.(1)13 STD45N10F7DPAK212 STI45N10F7 100 V 0.018 45 A 60 WI PAKTABSTP45N10F71. @ VGS = 10 V Ultra low on-resistance32

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STD45NF75

STU45N01GreenProductSTD45N01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.100V 40A 18 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I - PAKABS

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