STD4NK50Z-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD4NK50Z-1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
STD4NK50Z-1 Datasheet (PDF)
stp4nk50z stp4nk50zfp std4nk50z std4nk50z-1.pdf

STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V
std4nk50zt4.pdf

STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V
std4nk50zd std4nk50zd-1 stf4nk50zd stp4nk50zd.pdf

STD4NK50ZD - STD4NK50ZD-1STF4NK50ZD - STP4NK50ZDN-channel 500V - 2.4 - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAKFast diode SuperMESH Power MOSFETGeneral features3Type VDSS RDS(on) ID Pw1STD4NK50ZD-1 500V
std4nk100z.pdf

STD4NK100ZN-channel 1000 V, 5.6 , 2.2 A SuperMESH Power MOSFET Zener-protected in DPAK packageDatasheet preliminary dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max IDSTD4NK100Z 1000 V
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History: PZ0703EK | TK20V60W5 | SGO100N08L | IPI09N03LA | BUK9840-55 | BUK7207-30B | SE4N65
History: PZ0703EK | TK20V60W5 | SGO100N08L | IPI09N03LA | BUK9840-55 | BUK7207-30B | SE4N65



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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