STD50N03L-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD50N03L-1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 294 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD50N03L-1
STD50N03L-1 Datasheet (PDF)
std50n03l std50n03l-1.pdf
STD50N03LSTD50N03L-1N-CHANNEL 30V - 9.2m - 40A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD50N03L 30V 10.5m 40ASTD50N03L-1 30V 10.5m 40A332 RDS(on)*Qg industrys benchmark 1 1 Conduction losses reducedDPAKIPAK Switching losses reduced Low threshold deviceDescriptionThis product utilizes the latest advan
std50nh02l-1 std50nh02lt4.pdf
STD50NH02LSTD50NH02L-1N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD50NH02L-1 24V
std50nh02l std50nh02l-1.pdf
STD50NH02LSTD50NH02L-1N-channel 24V - 0.0085 - 50A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD50NH02L-1 24V
std50nh02l.pdf
STD50NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0085 - 50A DPAK/IPAKSTripFET III POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD50NH02L 24 V
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Liste
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