STD5N20L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD5N20L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
- Selección de transistores por parámetros
STD5N20L Datasheet (PDF)
std5n20l.pdf
STD5N20LN-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD5N20L 200 V
std5n20lt4.pdf
STD5N20LN-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD5N20L 200 V
std5n20.pdf
STD5N20N-CHANNEL 200V - 0.6 - 5A DPAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5N20 200 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRF422 | IPD12CN10NG | NVMFS020N06C | WSD2012DN25 | NCEAP40T17AD | IRF7103PBF | STK28N3LLH5
History: IRF422 | IPD12CN10NG | NVMFS020N06C | WSD2012DN25 | NCEAP40T17AD | IRF7103PBF | STK28N3LLH5
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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