STD70N2LH5 Todos los transistores

 

STD70N2LH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD70N2LH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0071 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD70N2LH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  st
 std70n2lh5 stu70n2lh5.pdf pdf_icon

STD70N2LH5

STD70N2LH5STU70N2LH5N-channel 25 V, 0.006 , 48 A - DPAK - IPAKSTripFET V Power MOSFETPreliminary DataFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD70N2LH5 25 V 0.0071 48 A STU70N2LH5 25 V 0.0075 48 A332 RDS(on) * Qg industry benchmark11 Extremely low on-resistance RDS(on)DPAKIPAK Very low switching gate charge High avalanche ruggedness L

 8.1. Size:505K  st
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STD70N2LH5

STD70NH02LSTD70NH02L-1N-channel 24V - 0.0062 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD70NH02L-1 24V

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STD70N2LH5

STD70N02LSTD70N02L-1N-channel 25V - 0.0068 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD70N02L 25V

 8.3. Size:971K  st
 stb70n10f4 std70n10f4 stp70n10f4 stw70n10f4.pdf pdf_icon

STD70N2LH5

STB70N10F4, STD70N10F4STP70N10F4, STW70N10F4N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATEPower MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAKFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTB70N10F4 100 V

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History: IRF3704SPBF | TPD50R3K8D | SI1865DDL | IRF5806PBF | IRFS530A | IRF3711SPBF | NCE65NF190LL

 

 
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