STD8NM50N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD8NM50N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.79 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD8NM50N datasheet

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STD8NM50N

STD8NM50N, STF8NM50N STP8NM50N, STU8NM50N N-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FP Features Order codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID 3 3 1 2 STD8NM50N 1 DPAK STF8NM50N IPAK 550 V

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STD8NM50N

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

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 std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf pdf_icon

STD8NM50N

STD8NM60ND, STF8NM60ND STP8NM60ND, STU8NM60ND N-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STD8NM60ND 650 V

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STD8NM50N

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

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