STD8NM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD8NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
Encapsulados: DPAK
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STD8NM60N datasheet
stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n stp8nm60n.pdf
STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V
stp8nm60n stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n.pdf
STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf
STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V
std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf
STD8NM60ND, STF8NM60ND STP8NM60ND, STU8NM60ND N-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STD8NM60ND 650 V
Otros transistores... STD7NM60N , STD7NM80 , STD7NM80-1 , STD7NS20 , STD85N3LH5 , STD86N3LH5 , STD8N65M5 , STD8NM50N , 60N06 , STD8NM60ND , STD90N03L , STD90N03L-1 , STD90N4F3 , STD95N2LH5 , STD95N3LLH6 , STD95N4F3 , STD95N4LF3 .
History: 2SK2740 | SWP038R10ES | QN3109M6N
History: 2SK2740 | SWP038R10ES | QN3109M6N
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Liste
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