STD90N03L-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD90N03L-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 549 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD90N03L-1

STD90N03L-1 Datasheet (PDF)

..1. Size:317K st
std90n03l std90n03l-1.pdf

STD90N03LSTD90N03L-1N-channel 30V - 0.005 - 80A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD90N03L 30V 0.0057 80A (1)STD90N03L-1 30V 0.0057 80A (1)332 11. Pulse width limited by safe operating area1 RDS(on)*Qg industrys benchmark Conduction losses reducedIPAKDPAK Switching losses reduced Low threshold

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std90n02l-1 std90n02l.pdf

STD90N02LSTD90N02L-1N-channel 25V - 0.0052 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDMaxSTD90N02L 25V

7.2. Size:387K st
std90n02l std90n02l-1.pdf

STD90N02LSTD90N02L-1N-channel 25V - 0.0052 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDMaxSTD90N02L 25V

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std90nh02l.pdf

STD90NH02LSTD90NH02L-1N-channel 24V - 0.0052 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD90NH02L-1 24V

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std90n4f3 sti90n4f3 stp90n4f3 stu90n4f3.pdf

STD90N4F3, STI90N4F3STP90N4F3, STU90N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) 3Type VDSS ID Pw3max 121STD90N4F3 40 V

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std90nh02lt4.pdf

STD90NH02LSTD90NH02L-1N-channel 24V - 0.0052 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD90NH02L-1 24V

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std90n4f3.pdf

STD90N4F3www.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0050 at VGS = 10 V 85 COMPLIANT 40 80 nC0.0065 at VGS = 4.5 V 70APPLICATIONS Synchronous Rectification Power SuppliesDTO-252 GG D S SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM R

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Liste

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