STF12NM50ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STF12NM50ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STF12NM50ND

STF12NM50ND Datasheet (PDF)

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STB12NM50NDSTD12NM50ND, STF12NM50NDN-channel 500 V, 0.29 , 11 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FPFeatures Type VDSS (@Tjmax) RDS(on) max IDSTB12NM50ND 550 V 0.38 11 ASTD12NM50ND 550 V 0.38 11 ASTF12NM50ND 550 V 0.38 11 A33 3211 1 100% avalanche testedD2PAK DPAK TO-220FP Low input capacitance and gate charge

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STB12NM50N,STD12NM50N,STI12NM50NSTF12NM50N, STP12NM50NN-channel 500 V, 0.29 , 11 A MDmesh II Power MOSFETTO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FPFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB12NM50N 550 V 0.38 11 AIPAKTO-220STD12NM50N 550 V 0.38 11 A31STI12NM50N 550 V 0.38 11 ADPAKSTF12NM50N 550 V 0.38 11 A (1)STP12NM50N 5

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STB12NM60N/-1 - STF12NM60NSTP12NM60N - STW12NM60NN-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID3(@Tjmax)31 21STB12NM60N 650V

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