STF12NM50ND Todos los transistores

 

STF12NM50ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF12NM50ND

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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STF12NM50ND datasheet

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STF12NM50ND

STB12NM50ND STD12NM50ND, STF12NM50ND N-channel 500 V, 0.29 , 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP Features Type VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID STB12NM50ND 550 V 0.38 11 A STD12NM50ND 550 V 0.38 11 A STF12NM50ND 550 V 0.38 11 A 3 3 3 2 1 1 1 100% avalanche tested D2PAK DPAK TO-220FP Low input capacitance and gate charge

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STF12NM50ND

STB12NM50N,STD12NM50N,STI12NM50N STF12NM50N, STP12NM50N N-channel 500 V, 0.29 , 11 A MDmesh II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 1 STB12NM50N 550 V 0.38 11 A I PAK TO-220 STD12NM50N 550 V 0.38 11 A 3 1 STI12NM50N 550 V 0.38 11 A DPAK STF12NM50N 550 V 0.38 11 A (1) STP12NM50N 5

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STF12NM50ND

STB12NM50N,STD12NM50N,STI12NM50N STF12NM50N, STP12NM50N N-channel 500 V, 0.29 , 11 A MDmesh II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 1 STB12NM50N 550 V 0.38 11 A I PAK TO-220 STD12NM50N 550 V 0.38 11 A 3 1 STI12NM50N 550 V 0.38 11 A DPAK STF12NM50N 550 V 0.38 11 A (1) STP12NM50N 5

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STF12NM50ND

STB12NM60N/-1 - STF12NM60N STP12NM60N - STW12NM60N N-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID 3 (@Tjmax) 3 1 2 1 STB12NM60N 650V

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