STF15NM65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STF15NM65N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STF15NM65N

STF15NM65N Datasheet (PDF)

..1. Size:504K st
stb15nm65n sti15nm65n stf15nm65n stp15nm65n stw15nm65n.pdf

STF15NM65N-STI15NM65N-STW15NM65NSTB15NM65N-STP15NM65NN-channel 650V - 0.25 - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) Max ID(@Tjmax)323121STB15NM65N 710 V

..2. Size:914K st
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STF15NM65N,STFI15NM65NN-channel 650 V, 0.35 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packagesDatasheet - production dataFeatures Order code VDSS @Tjmax RDS(on) max. IDSTF15NM65N32 710 V 0.38 12 A1STFI15NM65N1TO-220FP 23 100% avalanche testedI 2PAKFP Low input capacitance and gate charge(TO-281) Low gate input resistance

..3. Size:199K inchange semiconductor
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INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STF15NM65NFEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage

6.1. Size:593K st
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STB15NM60ND - STF/I15NM60NDSTP15NM60ND - STW15NM60NDN-channel 600 V - 0.27 - 14 A - FDmesh II Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247Features Type VDSS (@Tjmax)RDS(on) max ID3 3STB15NM60ND 14 A 211STF15NM60ND 14 AD2PAKIPAKSTI15NM60ND 650 V 0.299 14 A(1)321STP15NM60ND 14 ASTW15NM60ND 14 ATO-2471. Limited only by maximum temperature

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STB15NM60N - STF/I15NM60NSTP15NM60N - STW15NM60NN-channel 600V - 0.270 - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID3(@Tjmax)31 21STB15NM60N 650V

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