STF19NF20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF19NF20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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STF19NF20 datasheet
stb19nf20 stf19nf20 stp19nf20.pdf
STB19NF20, STF19NF20, STP19NF20 N-channel 200 V, 0.15 typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB Type VDSS RDS(on) ID pw STB19NF20 200V
stb19nf20 std19nf20 stf19nf20 stp19nf20.pdf
STB19NF20, STD19NF20 STF19NF20, STP19NF20 Datasheet N-channel 200 V, 0.11 , 15 A, MESH OVERLAY Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO 220FP and TO-220 packages Features TAB TAB 3 2 VDS RDS(on) max. ID Type Package 3 1 1 DPAK 2 D PAK STB19NF20 D2PAK TAB STD19NF20 DPAK 200 V 0.16 15 A STF19NF20 TO-220FP 3 2 3 1 STP19NF20 TO-220 2 1 TO-220 TO-220FP Extremel
stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf
STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65N STB19NM65N - STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB19NM65N 710 V
stb19nm65n stf19nm65n sti19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf
STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65N STB19NM65N - STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB19NM65N 710 V
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