STF20NM65N Todos los transistores

 

STF20NM65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STF20NM65N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

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STF20NM65N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  st
 stp20nm65n stf20nm65n.pdf pdf_icon

STF20NM65N

STP20NM65NSTF20NM65NN-channel 650 V, 0.250 , 15 A TO-220, TO-220FPsecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID@Tjmax max.STP20NM65N710 V 0.270 15 ASTF20NM65N33 100 % avalanche tested2211 Low input capacitance and gate chargeTO-220TO-220FP Low gate input resistanceApplication Switching applicationsF

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STF20NM65N

STB20NM60A-1STP20NM60A - STF20NM60AN-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A IPAK/TO-220/TO-220FPMDmesh MOSFETTYPE VDSS @Tjmax RDS(on) IDSTB20NM60A-1 650 V

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 stf20nm60d stp20nm60fd stw20nm60fd.pdf pdf_icon

STF20NM65N

STF20NM60D - STP20NM60FDSTW20NM60FDN-channel 600V - 0.26 - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTF20NM60D 600V

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 stb20nm50fd stf20nm50fd stp20nm50fd.pdf pdf_icon

STF20NM65N

STB20NM50FDSTF20NM50FD - STP20NM50FDN-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg IDmaxSTB20NM50FD 500 V

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History: OSG90R1K2IF | BUK9K29-100E | PSMN9R0-25YLC | CEK01N6G | SUP90N08-7M7P | HY3N80T | 2N80L-TA3-T

 

 
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