STF23NM50N Todos los transistores

 

STF23NM50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STF23NM50N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

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STF23NM50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  st
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STF23NM50N

STB23NM50N, STF23NM50NSTP23NM50N, STW23NM50NN-channel 500 V, 0.162 , 17 A TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33221STB23NM50N1TO-220FP TO-220STF23NM50N550 V

 ..2. Size:200K  inchange semiconductor
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STF23NM50N

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STF23NM50NFEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage

 7.1. Size:560K  st
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STF23NM50N

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited

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STF23NM50N

STx23NM60NDN-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID3max.3(@Tjmax)1 21STx23NM60ND 650 V

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History: VBZA9410 | WML53N60C4 | AP3D5R0MT | PSMN9R0-30LL | VSD007N06MS | TSM9N50CZ | AON7510

 

 
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