STF24NF12 Todos los transistores

 

STF24NF12 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF24NF12

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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STF24NF12 datasheet

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STF24NF12

STF24NF12 N-channel 120V - 0.070 - 24A TO-220FP Low gate charge STripFET II MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STF24NF12 120V

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STF24NF12

STB24N65M2, STF24N65M2, STP24N65M2 N-channel 650 V, 0.185 typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order codes V R max I DS DS(on) D STB24N65M2 STF24N65M2 650 V 0.23 16 A STP24N65M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100% avalanche tested Ze

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STF24NF12

STF24N60M2, STFI24N60M2, STFW24N60M2 N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP and TO-3PF packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STF24N60M2 3 2 1 1 STFI24N60M2 650 V 0.19 18 A 2 3 TO-220FP STFW24N60M2 I2PAKFP (TO-281) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area

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STF24NF12

STF24NM60N STP24NM60N, STW24NM60N N-channel 600 V, 0.168 , 17 A MDmesh II Power MOSFET TO-220FP, TO-220 and TO-247 Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. STF24NM60N 650 V

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