STF28NM50N Todos los transistores

 

STF28NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF28NM50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.158 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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STF28NM50N datasheet

 ..1. Size:790K  st
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STF28NM50N

STB28NM50N, STF28NM50N STP28NM50N, STW28NM50N N-channel 500 V, 0.135 , 21 A D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 1 STB28NM50N TO-220 TO-220FP STF28NM50N 550 V

 7.1. Size:1665K  st
stb28nm60nd stf28nm60nd stp28nm60nd stw28nm60nd.pdf pdf_icon

STF28NM50N

STB28NM60ND, STF28NM60ND, STP28NM60ND, STW28NM60ND N-channel 600 V, 0.13 typ., 23 A FDmesh II Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ 2 Order codes RDS(on) max ID 3 TJ max. 1 3 2 1 2 STB28NM60ND D PAK TO-220FP STF28NM60ND TAB 650 V 0.150 23 A STP28NM60ND STW28NM60ND 3 3 3 2 2 1 2 1 1

 8.1. Size:1235K  st
stb28n65m2 stf28n65m2 stp28n65m2 stw28n65m2.pdf pdf_icon

STF28NM50N

STB28N65M2, STF28N65M2, STP28N65M2, STW28N65M2 N-channel 650 V, 0.15 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - preliminary data Features TAB Order codes VDS RDS(on) max ID STB28N65M2 3 3 STF28N65M2 1 2 650 V 0.18 20 A 1 STP28N65M2 D2PAK TO-220FP STW28N65M2 TAB Extremely low gate charge Excellent output

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STF28NM50N

STF28N60DM2 N-channel 600 V, 0.13 typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features V @ R DS DS(on) Order code I P D TOT T max. Jmax. STF28N60DM2 650 V 0.16 21 A 30 W Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input 3 2 capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-220F

Otros transistores... STF22NM60N , STF23NM50N , STF23NM60ND , STF24NF12 , STF24NM60N , STF24NM65N , STF25NM60ND , STF26NM60N , AO3407 , STF2HNK60Z , STF2N62K3 , STF2NK60Z , STF30N65M5 , STF30NM50N , STF32N65M5 , STF34NM60N , STF34NM60ND .

History: SUM90N03-2M2P | KP780B9

 

 

 

 

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