STF28NM50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STF28NM50N
   Código: 28NM50N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.158 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STF28NM50N

STF28NM50N Datasheet (PDF)

..1. Size:790K st
stb28nm50n stf28nm50n stp28nm50n stw28nm50n.pdf

STB28NM50N, STF28NM50NSTP28NM50N, STW28NM50NN-channel 500 V, 0.135 , 21 A D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB28NM50NTO-220TO-220FPSTF28NM50N550 V

7.1. Size:1665K st
stb28nm60nd stf28nm60nd stp28nm60nd stw28nm60nd.pdf

STB28NM60ND, STF28NM60ND,STP28NM60ND, STW28NM60NDN-channel 600 V, 0.13 typ., 23 A FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABVDS @2Order codes RDS(on) max ID3TJ max.13212STB28NM60NDD PAKTO-220FPSTF28NM60NDTAB650 V 0.150 23 ASTP28NM60NDSTW28NM60ND333221 211

8.1. Size:1235K st
stb28n65m2 stf28n65m2 stp28n65m2 stw28n65m2.pdf

STB28N65M2, STF28N65M2,STP28N65M2, STW28N65M2N-channel 650 V, 0.15 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETsin DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max IDSTB28N65M233STF28N65M212650 V 0.18 20 A1STP28N65M2D2PAKTO-220FPSTW28N65M2TAB Extremely low gate charge Excellent output

8.2. Size:575K st
stf28n60dm2.pdf

STF28N60DM2 N-channel 600 V, 0.13 typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features V @ R DS DS(on)Order code I P D TOTT max. Jmax.STF28N60DM2 650 V 0.16 21 A 30 W Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input 32capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-220F

8.3. Size:883K st
stf28n60m2 stfi28n60m2.pdf

STF28N60M2, STFI28N60M2N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF28N60M2650 V 0.150 22 ASTFI28N60M23 Extremely low gate charge21 Excellent output capacitance (Coss) profile TO-220FP 123 100% avalanche tested2I PAKFP

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCE55P04S | LSH50R160HT

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: