STF30NM50N Todos los transistores

 

STF30NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF30NM50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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STF30NM50N datasheet

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 stb30nm50n sti30nm50n stf30nm50n stp30nm50n stw30nm50n.pdf pdf_icon

STF30NM50N

STB30NM50N,STI30NM50N,STF30NM50N STP30NM50N, STW30NM50N N-channel 500 V, 0.090 , 27 A MDmesh II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features RDS(on) VDSS Type ID (@Tjmax) max 3 3 1 2 1 STB30NM50N 550 V

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STF30NM50N

STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60N STP30NM60N, STW30NM60N N-channel 600 V, 0.1 , 25 A, MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK Features RDS(on) VDSS @ Type ID PW TJmax max 3 3 1 2 1 STB30NM60N 650 V

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STF30NM50N

STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60N STP30NM60N, STW30NM60N N-channel 600 V, 0.1 , 25 A, MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK Features RDS(on) VDSS @ Type ID PW TJmax max 3 3 1 2 1 STB30NM60N 650 V

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STF30NM50N

STx30NM60ND N-channel 600 V, 0.11 , 25 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 Features VDSS @TJ RDS(on) Type ID max max 3 3 2 2 2 STB30NM60ND 25 A I PAK 1 1 TO-247 STI30NM60ND 25 A STF30NM60ND 650 V 0.13 25 A(1) 3 STP30NM60ND 25 A 1 2 D PAK STW30NM60ND 25 A 1. Limited only by maximum temperature allowed 3 2 3 T

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History: CS2N100P

 

 

 


History: CS2N100P

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