STF3NK80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF3NK80Z
Código: F3NK80Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 19 nC
Tiempo de subida (tr): 27 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 57 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STF3NK80Z
STF3NK80Z Datasheet (PDF)
std3nk80z std3nk80z-1 stf3nk80z stp3nk80z.pdf
STD3NK80Z, STD3NK80Z-1STF3NK80Z, STP3NK80ZN-channel 800 V, 3.8 , 2.5 A, TO-220, TO-220FP, DPAK, IPAKZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP3NK80Z 800 V
std3nk80z-1 std3nk80zt4 stf3nk80z stp3nk80z.pdf
STD3NK80Z-1, STD3NK80ZT4, STF3NK80Z, STP3NK80Z N-channel 800 V, 3.8 typ., 2.5 A SuperMESH Power MOSFETs in IPAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 packages Datasheet - production data Features Order code V R I DS DS(on) max. DSTD3NK80Z-1 800 V 4.5 2.5 A STD3NK80ZT4 800 V 4.5 2.5 A STF3NK80Z 800 V 4.5 2.5 A STP3NK80Z 800 V 4.5 2.5 A Extremely high dv/dt capabil
stf3nk100z std3nk100z stp3nk100z.pdf
STF3NK100Z - STD3NK100ZSTP3NK100ZN-channel 1000V - 5.4 - 2.5A - TO-220 - TO-220FP - DPAKZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) VDSS ID PTOTTypeMaxSTF3NK100Z 1000V
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STF3NK100Z - STD3NK100ZSTP3NK100ZN-channel 1000V - 5.4 - 2.5A - TO-220 - TO-220FP - DPAKZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) VDSS ID PTOTTypeMaxSTF3NK100Z 1000V
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STD3NK100Z, STF3NK100ZDatasheetN-channel 1000 V, 5.4 typ., 2.5 A SuperMESH Power MOSFETs in DPAK and TO-220FP packagesFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder code PackageSTD3NK100Z DPAK1000 V 6 2.5 ASTF3NK100Z TO-220FP Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Gate charge minimizedD(2, TAB) Very low intrinsic capacitance Zener-protected
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