STF7NM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF7NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24.6 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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STF7NM60N datasheet
std7nm60n stf7nm60n stu7nm60n.pdf
STD7NM60N, STF7NM60N, STU7NM60N Datasheet N-channel 600 V, 0.8 typ., 5 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and IPAK packages Features VDS RDS(on) max. ID Order code Package STD7NM60N DPAK STF7NM60N 600 V 0.9 5 A TO-220FP STU7NM60N IPAK D(2, TAB) 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance G(1) Applications
std7nm60n stf7nm60n stp7nm60n stu7nm60n.pdf
STD7NM60N, STF7NM60N STP7NM60N, STU7NM60N N-channel 600 V, 5 A, 0.76 , DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS @ RDS(on) Order codes ID 3 TJmax max. 2 3 2 1 1 STD7NM60N TO-220 IPAK STF7NM60N 650 V
std7nm80 std7nm80-1 stf7nm80 stp7nm80.pdf
STD7NM80, STD7NM80-1 STF7NM80, STP7NM80 N-channel 800 V, 0.95 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STD7NM80 800 V
std7nm50n std7nm50n-1 stf7nm50n stp7nm50n.pdf
STD7NM50N - STD7NM50N-1 STF7NM50N - STP7NM50N N-channel 500V - 0.70 - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID 3 (@Tjmax) 2 1 3 STD7NM50N 550V
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