STF7NM80 Todos los transistores

 

STF7NM80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STF7NM80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
     - Selección de transistores por parámetros

 

STF7NM80 Datasheet (PDF)

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STF7NM80

STD7NM80, STD7NM80-1STF7NM80, STP7NM80N-channel 800 V, 0.95 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD7NM80 800 V

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STF7NM80

STD7NM80, STD7NM80-1STF7NM80, STP7NM80N-channel 800 V, 0.95 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD7NM80 800 V

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STF7NM80

STD7NM60N, STF7NM60N, STU7NM60NDatasheetN-channel 600 V, 0.8 typ., 5 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and IPAK packages FeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder code PackageSTD7NM60N DPAKSTF7NM60N 600 V 0.9 5 A TO-220FPSTU7NM60N IPAKD(2, TAB) 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistanceG(1)Applications

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STF7NM80

STD7NM60N, STF7NM60NSTP7NM60N, STU7NM60NN-channel 600 V, 5 A, 0.76 , DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAKsecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes ID3TJmax max.2 3211STD7NM60NTO-220IPAKSTF7NM60N650 V

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History: SH8K12 | STP55N06L | STP33N65M2 | AUIRF2804 | RFP12N06RLE | BUZ358 | RFL1N10L

 

 
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