STF8NK100Z Todos los transistores

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STF8NK100Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF8NK100Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.85 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FP

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STF8NK100Z Datasheet (PDF)

1.1. stf8nk100z stp8nk100z.pdf Size:299K _st

STF8NK100Z
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STF8NK100Z STP8NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.60? - 6.5A - TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET General features VDSS RDS(on) ID Pw Type STF8NK100Z 1000 V <1.85? 6.5 ANote 1 40 W STP8NK100Z 1000 V <1.85? 6.5 A 160 W EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 3 3 2 2 1 1 100% AVALANCHE RATED TO-220 IMPROVED ESD CAPABILITY TO-220FP VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCE Descripti

4.1. stp8nk85z stf8nk85z.pdf Size:338K _st

STF8NK100Z
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STP8NK85Z STF8NK85Z N-channel 850V - 1.1? - 6.7A - TO-220 /TO-220FP Zener - protected SuperMESH Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP8NK85Z 850 V < 1.4 ? 6.7 A STF8NK85Z 850 V < 1.4 ? 6.7 A Extremely high dv/dt capability 3 2 100% avalange tested 1 TO-220 TO-220FP Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances Very good manufacturing r

4.2. stp8nk85z stf8nk85z 2.pdf Size:337K _st

STF8NK100Z
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STP8NK85Z STF8NK85Z N-channel 850V - 1.1? - 6.7A - TO-220 /TO-220FP Zener - protected SuperMESH Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP8NK85Z 850 V < 1.4 ? 6.7 A STF8NK85Z 850 V < 1.4 ? 6.7 A Extremely high dv/dt capability 3 2 100% avalange tested 1 TO-220 TO-220FP Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances Very good manufacturing r

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