STFI10NK60Z MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STFI10NK60Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STFI10NK60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: I2PAKFP TO281

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STFI10NK60Z datasheet

..1. Size:524K st
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STFI10NK60Z N-channel 600 V, 0.65 , 10 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in I PAKFP package Datasheet production data Features RDS(on) Type VDSS ID PTOT max STFI10NK60Z 600 V

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stb10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf pdf_icon

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stf10n62k3 stfi10n62k3 sti10n62k3 stp10n62k3.pdf pdf_icon

STF10N62K3, STFI10N62K3, STI10N62K3, STP10N62K3 N-channel 620 V, 0.68 typ., 8.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, I PAK, TO-220 packages Datasheet - production data Features RDS(on) Type VDSS max ID Pw 3 2 STF10N62K3 1 1 2 8.4 A(1) 30 W 3 TO-220FP STFI10N62K3 I PAKFP 620 V

7.3. Size:948K st
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