STFI10NK60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STFI10NK60Z
   Código: 10NK60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAKFP TO281

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STFI10NK60Z

STFI10NK60Z Datasheet (PDF)

..1. Size:524K st
stfi10nk60z.pdf

STFI10NK60ZN-channel 600 V, 0.65 , 10 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmaxSTFI10NK60Z 600 V

7.1. Size:1300K st
stb10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf

STB10N65K3, STF10N65K3, STFI10N65K3, STP10N65K3N-channel 650 V, 0.75 typ., 10 A SuperMESH3 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max ID PTOT313 STB10N65K3 150 W2D2PAK 1STF10N65K3TO-220FP650 V 1 10 A 35 WSTFI10N65K3TABSTP10N65K3 150 W 100% avalanche tested3

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stf10n62k3 stfi10n62k3 sti10n62k3 stp10n62k3.pdf

STF10N62K3, STFI10N62K3,STI10N62K3, STP10N62K3N-channel 620 V, 0.68 typ., 8.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Type VDSS max ID Pw32STF10N62K31128.4 A(1) 30 W3TO-220FPSTFI10N62K3IPAKFP620 V

7.3. Size:948K st
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