STFW60N65M5 Todos los transistores

 

STFW60N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STFW60N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PF
 

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STFW60N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  st
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STFW60N65M5

STW60N65M5STFW60N65M5N-channel 650 V, 0.049 , 46 A MDmesh V Power MOSFETin TO-247, TO-3PFFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxSTFW60N65M5111710 V

 9.1. Size:666K  st
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STFW60N65M5

STFW69N65M5 STW69N65M5N-channel 650 V, 0.037 typ., 58 A MDmesh V Power MOSFETin TO-3PF and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDSS @ TJmax RDS(on) max IDSTFW69N65M5710 V

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 stfw6n120k3 stp6n120k3 stw6n120k3.pdf pdf_icon

STFW60N65M5

STFW6N120K3, STP6N120K3,STW6N120K3N-channel 1200 V, 1.95 typ., 6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-3PF, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max ID Ptot321STFW6N120K3 1200 V

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History: HCA70R180

 

 
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