STI13NM60N Todos los transistores

 

STI13NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STI13NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK

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STI13NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:984K  st
stf13nm60n sti13nm60n stp13nm60n stu13nm60n stw13nm60n.pdf

STI13NM60N
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STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N,STU13NM60N, STW13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, IPAK, TO-220, IPAK, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max3322 1STF13NM60N 1IPAKTO-220FPSTI13NM60NSTP13NM60N 650 V

 9.1. Size:226K  st
sti13005h.pdf

STI13NM60N
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STI13005-HHigh voltage fast-switching NPN power transistorDatasheet - production dataFeatures Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operationTAB Very high switching speedApplications321 Electronic ballast for fluorescent lightingI2PAK Switch mode power suppliesDescriptionThis device is manufactured using high volta

 9.2. Size:235K  st
sti13005-1.pdf

STI13NM60N
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STI13005-1High voltage fast-switching NPN power transistorPreliminary dataFeatures STI13005-1 is opposite pin out versus standard IPAK package High voltage capability Low spread of dynamic parameters3 Very high switching speed21ApplicationIPAK Switch mode power supplies (AC-DC converters)Description Figure 1. Internal schematic diagramThe device

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