STI13NM60N MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STI13NM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STI13NM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STI13NM60N datasheet

..1. Size:984K st
stf13nm60n sti13nm60n stp13nm60n stu13nm60n stw13nm60n.pdf pdf_icon

STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N, STU13NM60N, STW13NM60N N-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages Datasheet production data Features TAB VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 STF13NM60N 1 I PAK TO-220FP STI13NM60N STP13NM60N 650 V

9.1. Size:226K st
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STI13005-H High voltage fast-switching NPN power transistor Datasheet - production data Features Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation TAB Very high switching speed Applications 3 2 1 Electronic ballast for fluorescent lighting I2PAK Switch mode power supplies Description This device is manufactured using high volta

9.2. Size:235K st
sti13005-1.pdf pdf_icon

STI13005-1 High voltage fast-switching NPN power transistor Preliminary data Features STI13005-1 is opposite pin out versus standard IPAK package High voltage capability Low spread of dynamic parameters 3 Very high switching speed 2 1 Application IPAK Switch mode power supplies (AC-DC converters) Description Figure 1. Internal schematic diagram The device

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