STI13NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STI13NM60N
Código: 13NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 90 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 27 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
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STI13NM60N Datasheet (PDF)
stf13nm60n sti13nm60n stp13nm60n stu13nm60n stw13nm60n.pdf
STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N,STU13NM60N, STW13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, IPAK, TO-220, IPAK, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max3322 1STF13NM60N 1IPAKTO-220FPSTI13NM60NSTP13NM60N 650 V
sti13005h.pdf
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History: FQI4N90 | LSF65R280HT
