STI21N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STI21N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STI21N65M5 datasheet

 ..1. Size:1270K  st
stb21n65m5 stf21n65m5 sti21n65m5 stp21n65m5 stw21n65m5.pdf pdf_icon

STI21N65M5

STB21N65M5, STF21N65M5 STI21N65M5, STP21N65M5, STW21N65M5 N-channel 650 V, 0.175 , 17 A MDmesh V Power MOSFET D2PAK, TO-220FP, TO-220, I2PAK, TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID PW TJmax max 3 2 3 1 STB21N65M5 17 A 125 W 2 1 TO-220 STF21N65M5 17 A(1) 30 W I PAK STI21N65M5 710 V

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STI21N65M5

STP/F21NM60ND-STW21NM60ND STB21NM60ND-STI21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 , 17 A FDmesh II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 1 3 2 2 1 STB21NM60ND 650 V

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stp21nm60nd stf21nm60nd stb21nm60nd sti21nm60nd stw21nm60nd.pdf pdf_icon

STI21N65M5

STP/F21NM60ND-STW21NM60ND STB21NM60ND-STI21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 , 17 A FDmesh II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 1 3 2 2 1 STB21NM60ND 650 V

Otros transistores... STH85N15F4-2, STH90N15F4-2, STI10N62K3, STI12N65M5, STI13NM60N, STI16N65M5, STI18NM60N, STI200N6F3, 2N7002, STI22NM60N, STI23NM60ND, STI24NM60N, STI24NM65N, STI26NM60N, STI270N4F3, STI300N4F6, STI30N65M5