STI24NM60N Todos los transistores

 

STI24NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STI24NM60N
   Código: 24NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 44 nC
   Tiempo de subida (tr): 16.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET STI24NM60N

 

STI24NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1094K  st
stf24nm60n sti24nm60n stp24nm60n stw24nm60n.pdf

STI24NM60N
STI24NM60N

STF24NM60N, STI24NM60N, STP24NM60N, STW24NM60NN-channel 600 V, 0.168 typ., 17 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP, IPAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataTAB Features Order codes VDS @Tjmax RDS(on) max. IDSTF24NM60N3 322 11STI24NM60NI2PAKTO-220FP650 V 0.19 17 ASTP24NM60NTABSTW24NM60N 100% avalanche tested332 L

 ..2. Size:216K  inchange semiconductor
sti24nm60n.pdf

STI24NM60N
STI24NM60N

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STI24NM60NFEATURESWith To-262(I2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. Size:556K  st
stb24nm65n sti24nm65n stf24nm65n stp24nm65n stw24nm65n.pdf

STI24NM60N
STI24NM60N

STW24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65NSTB24NM65N - STP24NM65NN-channel 650 V - 0.16 - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKI2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@TJmax)323121STB24NM65N 710 V

 8.1. Size:1556K  st
stb24n60m2 sti24n60m2 stp24n60m2 stw24n60m2.pdf

STI24NM60N
STI24NM60N

STB24N60M2, STI24N60M2, STP24N60M2, STW24N60M2N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231STB24N60M2321D2PAKSTI24N60M2I2PAK650 V 0.19 18 ASTP24N60M2TABSTW24N60M2 Extremely low gate charge

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 6N80G-TA3-T

 

 
Back to Top

 


History: 6N80G-TA3-T

STI24NM60N
  STI24NM60N
  STI24NM60N
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MRF5035 | MRF5015 | MRF5007R1 | MRF5007 | MRF5003 | MRF275G | MRF184S | MRF184 | MRF177M | MRF177 | MRF176GV | MRF176GU | MRF175LV | MRF175LU | MRF175GV | MRF175GU

 

 

 
Back to Top