STI300N4F6 Todos los transistores

 

STI300N4F6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STI300N4F6
   Código: 300N4F6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 240 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1870 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
 

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STI300N4F6 Datasheet (PDF)

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STI300N4F6

STI300N4F6N-channel 40 V, 1.7 m typ., 160 A, STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a IPAK packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTI300N4F6 40 V 2.2 m 160 A(1)1. Limited by wire bonding Standard level VGS(th)32 100% avalanche rated1IPAKApplications Automotive switching applicationsDescriptionThis device is

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STI300N4F6

STB30NM50N,STI30NM50N,STF30NM50NSTP30NM50N, STW30NM50NN-channel 500 V, 0.090 , 27 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) VDSS Type ID(@Tjmax)max33121STB30NM50N 550 V

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STI300N4F6

STB30N65M5, STF30N65M5, STI30N65M5STP30N65M5, STW30N65M5N-channel 650 V, 0.125 , 22 A, MDmesh V Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJMAX 33123 12STB30N65M5 710 V

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STI300N4F6

STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60NSTP30NM60N, STW30NM60NN-channel 600 V, 0.1 , 25 A, MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAKFeaturesRDS(on) VDSS @ Type ID PWTJmaxmax33121STB30NM60N 650 V

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History: WSD2098

 

 
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