STL100N1VH5 Todos los transistores

 

STL100N1VH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL100N1VH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 949 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

STL100N1VH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:770K  st
 stl100n1vh5.pdf pdf_icon

STL100N1VH5

STL100N1VH5N-channel 12 V, 0.0022 , 25 A PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.STL100N1VH5 12 V

 6.1. Size:1396K  st
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STL100N1VH5

STL100N10F7N-channel 100 V, 0.0062 typ., 19 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS max ID PTOT1STL100N10F7 100 V 0.0073 19 A 5 W234 Ultra low on-resistancePowerFLAT 5x6 100% avalanche testedApplications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Int

 7.1. Size:2352K  st
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STL100N1VH5

STL100N6LF6N-channel 60 V, 3.3 m typ., 25 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL100N6LF6 60 V 4.4 m 25 A Low gate charge12 Very low on-resistance34 High avalanche ruggednessPowerFLAT 5x6Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1.

 7.2. Size:377K  st
 stl100nh3ll.pdf pdf_icon

STL100N1VH5

STL100NH3LLN-channel 30 V - 0.0032 - 25 A - PowerFLAT (6x5)STripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS IDmaxSTL100NH3LL 30 V

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History: FDY102PZ | STP8NS25FP | KP746B1 | AP4407GS-HF | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | PML260SN

 

 
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