STL16N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL16N65M5
Código: 16N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.299 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL16N65M5
STL16N65M5 Datasheet (PDF)
stl16n65m5.pdf
STL16N65M5N-channel 650 V, 0.270 , 12 A PowerFLAT 8x8 HVMDmesh V Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL16N65M5 710 V
stl16n65m2.pdf
STL16N65M2N-channel 650 V, 0.325 typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTL16N65M2 710 V 0.395 7.5 A Extremely low gate charge1 Excellent output capacitance (Coss) profile 234 100% avalanche tested Zener-protectedPowerFLAT 5x6 HVApplications
stl16n60m2.pdf
STL16N60M2 N-channel 600 V, 0.290 typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) DSTL16N60M2 650 V 0.355 8 A Extremely low gate charge 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 2 100% avalanche tested 34 Zener-protected Applications PowerFL
stl16n1vh5.pdf
STL16N1VH5N-channel 12 V, 0.0022 , 16 A, PowerFLAT (3.3 x 3.3)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTL16N1VH5 12 V 0.003 16 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb Improved die-to-footprint ratio Very low profile package (1mm max)PowerFLAT(3.3x3.3) Very low thermal resistance Very low gate charge Very low o
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