STL23NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL23NM60ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL23NM60ND
STL23NM60ND Datasheet (PDF)
stl23nm60nd.pdf
STL23NM60NDN-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) PowerFLAT (8x8) HVPreliminary dataFeaturesVDSSType RDS(on) max ID S(3) Bottom viewS(3)(@Tjmax)S(3)G(1)STL23NM60ND 650 V
stl23nm50n.pdf
STL23NM50NN-channel 500 V, 0.170 typ., 14 A MDmesh II Power MOSFETin a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL23NM50N 550 V
stl23ns3llh7.pdf
STL23NS3LLH7 N-channel 30 V, 0.0027 typ., 23 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTL23NS3LLH7 30 V 0.0037 23 A Very low on-resistance Very low Qg High avalanche ruggedness Embedded Schottky diode Applications Switching applicat
stl23n85k5.pdf
STL23N85K5N-channel 850 V, 0.2 typ., 12.5 A Zener-protectedSuperMESH5 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HVDatasheet preliminary dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max ID PWS(2) Bottom viewS(2)STL23N85K5 850 V
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Liste
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