STL35N15F3 Todos los transistores

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STL35N15F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL35N15F3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 80 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm

Empaquetado / Estuche: PowerFLAT_5X6

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STL35N15F3 Datasheet (PDF)

1.1. stl35n15f3.pdf Size:673K _st

STL35N15F3
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STL35N15F3 N-channel 150 V, 0.04 ?, 7 A, PowerFLAT (5x6) STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL35N15F3 150 V < 0.0355 ? 7 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb Improved die-to-footprint ratio PowerFLAT(5x6) Very low profile package (1mm max) Very low thermal resistance Low on-resistance Application Switching application Figure 1. Inte

4.1. stl35nf3ll.pdf Size:183K _st

STL35N15F3
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STL35NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.0055? - 35A PowerFLAT LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET TARGET DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STL35NF3LL 30 V < 0.007 ? 35 A TYPICAL RDS(on) = 0.0055? IMPROVED DIE-TO-FOOTPRINT RATIO VERY LOW PROFILE PACKAGE DESCRIPTION PowerFLAT(6x5) This Power MOSFET is the second generation of (Chip Scale Package) STMicroelectronics unique STripFET technolo- gy. The

4.2. stl35nf10.pdf Size:165K _st

STL35N15F3
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STL35NF10 N-CHANNEL 100V - 0.025? - 35A PowerFLAT LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STL35NF10 100 V < 0.030 ? 35 A TYPICAL RDS(on) = 0.025? IMPROVED DIE-TO-FOOTPRINT RATIO VERY LOW PROFILE PACKAGE DESCRIPTION PowerFLAT(6x5) This Power MOSFET is the second generation of (Chip Scale Package) STMicroelectronics unique STripFET technolo- gy.

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