STL65DN3LLH5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL65DN3LLH5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6DI

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STL65DN3LLH5 datasheet

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STL65DN3LLH5

STL65DN3LLH5 Dual N-channel 30 V, 0.0059 , 19 A PowerFLAT (5x6) double island, STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL65DN3LLH5 30 V

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STL65DN3LLH5

STL65N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0048 , 19 A - PowerFLAT (6x5) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL65N3LLH5 30 V

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