STL65N3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL65N3LLH5
Código: 65N3LLH5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 22 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1(min) V
Carga de la puerta (Qg): 12 nC
Tiempo de subida (tr): 14.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 295 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0058 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT6X5
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STL65N3LLH5 Datasheet (PDF)
..1. Size:494K st
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STL65N3LLH5N-channel 30 V, 0.0048 , 19 A - PowerFLAT (6x5)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL65N3LLH5 30 V
9.1. Size:502K st
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STL65DN3LLH5Dual N-channel 30 V, 0.0059 , 19 APowerFLAT(5x6) double island, STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL65DN3LLH5 30 V
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