STL75N3LLZH5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL75N3LLZH5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 18 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 287 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0061 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL75N3LLZH5 datasheet

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STL75N3LLZH5

STL75N3LLZH5 N-channel 30 V, 0.0055 , 19 A PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL75N3LLZH5 30 V

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STL75N3LLZH5

STL75NH3LL N-channel 30 V, 0.004 , 20 A, PowerFLAT (6x5) ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL75NH3LL 30V

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STL75N3LLZH5

STL75N8LF6 N-channel 80 V, 5.6 m , 18 A, PowerFLAT 5x6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max STL75N8LF6 80 V

Otros transistores... STL52N25M5, STL56N3LLH5, STL60N32N3LL, STL60N3LLH5, STL65DN3LLH5, STL65N3LLH5, STL70N2LLH5, STL70N4LLF5, IRLB3034, STL75N8LF6, STL7NM60N, STL80N3LLH6, STL80N4LLF3, STL80N75F6, STL85N6F3, STL8N65M5, STL90N3LLH6