STL75N8LF6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL75N8LF6
Código: 75N8LF6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1(min) VQgⓘ - Carga de la puerta: 51 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 516 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0074 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL75N8LF6
STL75N8LF6 Datasheet (PDF)
stl75n8lf6.pdf
STL75N8LF6N-channel 80 V, 5.6 m, 18 A, PowerFLAT 5x6STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTL75N8LF6 80 V
stl75n3llzh5.pdf
STL75N3LLZH5N-channel 30 V, 0.0055 , 19 A PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL75N3LLZH5 30 V
stl75nh3ll.pdf
STL75NH3LLN-channel 30 V, 0.004 , 20 A, PowerFLAT (6x5)ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL75NH3LL 30V
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Liste
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