STL9N3LLH5 Todos los transistores

 

STL9N3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL9N3LLH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT3.3X3.3
 

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STL9N3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:646K  st
 stl9n3llh5.pdf pdf_icon

STL9N3LLH5

STL9N3LLH5N-channel 30 V, 0.015 , 9 A, PowerFLAT (3.3x3.3)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL9N3LLH5 30 V

 9.1. Size:1043K  st
 stl9n60m2.pdf pdf_icon

STL9N3LLH5

STL9N60M2N-channel 600 V, 0.76 typ., 4.8 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTL9N60M2 650 V 0.86 4.8 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation123 Low gate input resistance4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x

 9.2. Size:241K  st
 stl9nk30z.pdf pdf_icon

STL9N3LLH5

STL9NK30ZN-CHANNEL 300V - 0.36 - 9A PowerFLATZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID (1) Pw (1)STL9NK30Z 300 V

Otros transistores... STL75N8LF6 , STL7NM60N , STL80N3LLH6 , STL80N4LLF3 , STL80N75F6 , STL85N6F3 , STL8N65M5 , STL90N3LLH6 , AO3407 , STN1HNK60 , STN1N20 , STN1NF10 , STN1NK60Z , STN1NK80Z , STN2NF10 , STN3N40K3 , STN3N45K3 .

History: STF16N60M2 | IPD50P04P4-13 | HM2N10MR | SUP75P05-08 | FQB13N50CTM | 2SJ528S | FQB9N08TM

 

 
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