STN3N45K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STN3N45K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STN3N45K3

STN3N45K3 Datasheet (PDF)

..1. Size:481K st
stn3n45k3 stq3n45k3-ap stu3n45k3.pdf

STN3N45K3STQ3N45K3-AP, STU3N45K3N-channel 450 V, 3.2 , 1.8 A, TO-92, SOT-223, IPAKSuperMESH3 Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax3STN3N45K3 450 V

..2. Size:1009K st
stn3n45k3.pdf

STN3N45K3N-channel 450 V - 3.3 typ., 0.6 A Zener-protected, SuperMESH3 Power MOSFET in a SOT-223 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS max ID Pw4STN3N45K3 450 V

8.1. Size:841K st
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STN3N40K3N-channel 400 V, 3 , 1.8 A SOT-223SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max ID PWSTN3N40K3 400 V

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STN3NE06LN - CHANNEL 60V - 0.10 - 3A - SOT-223STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTN3NE06L 60 V

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STN3NF06N-channel 60V - 0.07 -4A - SOT-223STripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)2STN3NF06 60V

9.3. Size:250K st
stn3nf06l.pdf

STN3NF06LN-channel 60 V, 0.07 , 4 A, SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max2STN3NF06L 60 V

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stn3ne06.pdf

STN3NE06N - CHANNEL 60V - 0.08 - 3A - SOT-223STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTN3NE06 60 V

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stn3nf06l.pdf

STN3NF06Lwww.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.029 at VGS = 10 V 7.0 TrenchFET Power MOSFETs600.033 at VGS = 4.5 V 5.6 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: