STP10NK60Z MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP10NK60Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP10NK60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP10NK60Z datasheet

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stb10nk60z stp10nk60z stp10nk60zfp stw10nk60z.pdf pdf_icon

STB10NK60Z, STP10NK60Z, STP10NK60ZFP, STW10NK60Z N-channel 600 V, 0.65 typ., 10 A SuperMESH Power MOSFET in I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB RDS(on) Type VDSS ID Pw max TAB 3 3 2 STB10NK60Z-1 600 V

..2. Size:858K st
stb10nk60z stp10nk60z stw10nk60z.pdf pdf_icon

STB10NK60Z, STP10NK60Z STW10NK60Z N-channel 650 V, 0.65 , 10 A, SuperMESH Power MOSFET Zener-protected I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 STB10NK60Z-1 600 V

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STP10NK60Z/FP, STB10NK60Z/-1 STW10NK60Z N-CHANNEL 600V-0.65 -10A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP10NK60Z 600 V

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stb10nk60z-1 stb10nk60zt4 stp10nk60zfp.pdf pdf_icon