STP120NF04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP120NF04
   Código: P120NF04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP120NF04

STP120NF04 Datasheet (PDF)

..1. Size:306K st
stp120nf04.pdf

STP120NF04N-channel 40V - 0.0047 - 120A TO-220STripFET II MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTP120NF04 40V

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STB120NF10T4, STP120NF10, STW120NF10 N-channel 100 V, 9.0 m typ., 110 A STripFET II Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data TABFeatures Order code V R max. I DS DS(on) DSTB120NF10T4 STP120NF10 100 V 10.5 m 110 A D2PAKTAB STW120NF10 Exceptional dv/dt capability 100% avalanche tested 3 Low gate charge 3

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stp120nf10 stb120nf10 stf120nf10 stw120nf10.pdf

STP120NF10, STB120NF10STF120NF10, STW120NF10N-channel 100 V, 0.009 , 110 A STripFET II Power MOSFETin TO-247, TO-220, DPAK, TO-220FPFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTW120NF10 110 A31STP120NF10 110 A100V

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6.4. Size:390K st
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STP120NF10 - STB120NF10STW120NF10N-channel 100V - 0.009 - 110A - TO-247 - TO-220 - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTW120NF10 100V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFH46N65X2

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: