STP130NH02L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP130NH02L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 24 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 90 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Carga de compuerta (Qg): 69 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0044 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP130NH02L

STP130NH02L Datasheet (PDF)

1.1. stp130nh02l.pdf Size:270K _st

STP130NH02L N-channel 24V - 0.0034? - 120A - TO-220 STripFET� Power MOSFET for DC-DC conversion Features Type VDSS RDS(on) ID STP130NH02L 24V <0.0044? 90(1) 1. Value limited by wire bonding � RDS(on) *Qg industry�s benchmark Low 3 2 � Conduction losses reduced 1 � Switching losses reduced TO-220 � Low Threshold device Description These devices utilizes the latest advanced design

3.1. stp130n10f3.pdf Size:1213K _upd-mosfet

STF130N10F3, STFI130N10F3, STH130N10F3-2, STP130N10F3 N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET™III Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, H²PAK-2 and TO-220 packages Datasheet — production data Features RDS(on) Order codes VDSS max. ID 3 STF130N10F3 2 1 9.6 mΩ 46 A 1 2 STFI130N10F3 3 TO-220FP 100 V I²PAKFP STH130N10F3-2 9.3 mΩ TAB 120 A STP130N10F3 9.6 mΩ TAB

3.2. stp130ns04zb stb130ns04zb stw130ns04zb stb130ns04zb-1.pdf Size:397K _st

STP130NS04ZB - STB130NS04ZB-1 STB130NS04ZB - STW130NS04ZB N-channel clamped - 7 m? - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay� MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP130NS04ZB clamped <9 m? 80A 3 2 STB130NS04ZB clamped <9 m? 80A 1 STW130NS04ZB clamped <9 m? 80A TO-247 TO-220 STB130NS04ZB clamped <9 m? 80A � 100% avalanche tested 3 � Low capacitance and gate

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: