STP16NF06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP16NF06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: TO220
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STP16NF06 datasheet
stp16nf06.pdf
STP16NF06 STP16NF06FP N-CHANNEL 60V - 0.08 - 16A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP16NF06 60 V
stp16nf06 stp16nf06fp.pdf
STP16NF06 STP16NF06FP N-channel 60V - 0.08 - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP16NF06 60V
stp16nf06 istp16nf06.pdf
N-Channel MOSFET Transistor STP16NF06 ISTP16NF06 DESCRIPTION Drain Current I = 16A@ T =25 D C Static Drain-Source On-Resistance R = 100m (Max) DS(on) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS high packing density for low on-resistance rugged avalanche characteristics and less critical
stp16nf06.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STP16NF06 FEATURES Typical R (on)=0.08 DS With low gate drive requirements 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Solenold and relay dirvers DC-DC &DC-CAconverters Automotive environment ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY
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Liste
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