STP16NF25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP16NF25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.235 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP16NF25
STP16NF25 Datasheet (PDF)
std16nf25 stf16nf25 stp16nf25.pdf
STD16NF25STF16NF25 - STP16NF25N-channel 250V - 0.195 - 13A - DPAK/TO-220/TO-220FPLow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwMax3STD16NF25 250V
stp16nf06l.pdf
STP16NF06LSTP16NF06LFPN-CHANNEL 60V - 0.07 - 16A TO-220/TO-220FPSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP16NF06L 60 V
stp16nf06fp.pdf
STP16NF06STP16NF06FPN-channel 60V - 0.08 - 16A - TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP16NF06 60V
stp16nf06l-fp.pdf
STP16NF06LSTP16NF06LFPN-CHANNEL 60V - 0.07 - 16A TO-220/TO-220FPSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP16NF06L 60 V
stp16nf06.pdf
STP16NF06STP16NF06FPN-CHANNEL 60V - 0.08 - 16A TO-220/TO-220FPSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP16NF06 60 V
stp16nf06lfp.pdf
STP16NF06LSTP16NF06LFPN-CHANNEL 60V - 0.07 - 16A TO-220/TO-220FPSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP16NF06L 60 V
stp16nf06 stp16nf06fp.pdf
STP16NF06STP16NF06FPN-channel 60V - 0.08 - 16A - TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP16NF06 60V
stp16nf06l stp16nf06lfp.pdf
STP16NF06LSTP16NF06LFPN-CHANNEL 60V - 0.07 - 16A TO-220/TO-220FPSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP16NF06L 60 V
stp16nf06 istp16nf06.pdf
N-Channel MOSFET Transistor STP16NF06ISTP16NF06DESCRIPTIONDrain Current I = 16A@ T =25D CStatic Drain-Source On-Resistance: R = 100m(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONShigh packing density for low on-resistancerugged avalanchecharacteristics and less critical
stp16nf06.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP16NF06FEATURESTypical R (on)=0.08DSWith low gate drive requirements100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSolenold and relay dirversDC-DC &DC-CAconvertersAutomotive environmentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918