STP22NF03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP22NF03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP22NF03L
STP22NF03L Datasheet (PDF)
stp22nf03l.pdf
STP22NF03LN-channel 30 V, 0.0038 , 22 A, TO-220STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTP22NF03L 30 V
stp22ns25z.pdf
STP22NS25ZSTB22NS25ZN-CHANNEL 250V - 0.13 - 22A TO-220/D2PAKZener-Protected MESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP22NS25Z 250 V
stp22ne10l.pdf
STP22NE10LN - CHANNEL 100V - 0.07 - 22A TO-220STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP22NE10L 100 V
stb22ns25z stp22ns25z.pdf
STB22NS25Z - STP22NS25ZN-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAKZener-protected MESH OVERLAY Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB22NS25Z 250V
stp22ne03l.pdf
STP22NE03LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP22NE03L 30 V
stp22nm50.pdf
STP22NM50 - STP22NM50FPSTB22NM50 - STB22NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.16 - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmeshPower MOSFETADVANCED DATATYPE VDSS RDS(on) Rds(on)*Qg IDSTP22NM50 500 V
stb22nm60n stf22nm60n sti22nm60n stp22nm60n stw22nm60n.pdf
STB22NM60N, STF22NM60N, STI22NM60NSTP22NM60N, STW22NM60NN-channel 600 V, 0.2 , 16 A MDmesh II Power MOSFETin D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.31332STB22NM60N 650 V
stb22nm60n stf22nm60n stp22nm60n.pdf
STB22NM60N, STF22NM60N, STP22NM60NDatasheetN-channel 600 V, 0.20 typ., 16 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packagesFeaturesTABVDS @31 RDS(on)max. IDOrder code2D PAKTjmax.321TO-220FPTAB STB22NM60NSTF22NM60N 650 V 0.22 16 A32 STP22NM60N1TO-220 100% avalanche testedD(2, TAB) Low input capacitance and gate charg
stp22nm60.pdf
STP22NM60 - STF22NM60STB22NM60 - STB22NM60-1 - STW22NM60N-CHANNEL 600V - 0.19 - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247MDmeshPower MOSFETADVANCED DATATYPE VDSS RDS(on) Rds(on)*Qg IDSTP22NM60 600 V
stp22nm60n.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP22NM60NFEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistances100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage
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History: NTBGS4D1N15MC
History: NTBGS4D1N15MC
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