STP27N3LH5 Todos los transistores

 

STP27N3LH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP27N3LH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP27N3LH5 Datasheet (PDF)

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STP27N3LH5

STD27N3LH5, STP27N3LH5STU27N3LH5N-channel 30 V, 0.014 , 27 A, DPAK, IPAK, TO-220STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID33STD27N3LH5 30 V 0.019 27 A 121STP27N3LH5 30 V 0.020 27 A IPAK DPAKSTU27N3LH5 30 V 0.020 27 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge3

 9.1. Size:1654K  st
 sth270n8f7-2 sth270n8f7-6 stp270n8f7.pdf pdf_icon

STP27N3LH5

STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STP270N8F7N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-6 and TO-220 packagesDatasheet - production dataTAB FeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max ID2731 STH270N8F7-210.0021 STH270N8F7-6 80 V 180 AH2PAK-2 H2PAK-6STP270N8F7 0.0025 TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellen

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STP27N3LH5

STB270N04STB270N04-1 - STP270N04N-CHANNEL 40V - 2.1m - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PTOTSTB270N04-1 40V

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STP27N3LH5

STB270N04STB270N04-1 - STP270N04N-CHANNEL 40V - 2.1m - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PTOTSTB270N04-1 40V

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History: DMN3010LSS | HM15P55K | HSBA4048 | HSP15810C | NTTFS5811NLTAG | IRHMK57260SE | IRFSL4610

 

 
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