STP2NK60Z Todos los transistores

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STP2NK60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP2NK60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 30 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.26 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 7.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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STP2NK60Z Datasheet (PDF)

1.1. stq2nk60zr-ap stp2nk60z stf2nk60z std2nk60z-1.pdf Size:542K _st

STP2NK60Z
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STF2NK60Z - STQ2NK60ZR-AP STP2NK60Z - STD2NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 7.2? - 1.4A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1: General Features Figure 1: Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STF2NK60Z 600 V < 8 ? 1.4 A 20 STQ2NK60ZR-AP 600 V < 8 ? 0.4 A 3 W STP2NK60Z 600 V < 8 ? 1.4 A 45 W STD2NK60Z-1 600 V < 8 ? 1.4 A 45 W 3 2 1 TYPICAL RDS(on) = 7.2 ? TO-92 (Ammop

4.1. std2nk100z stp2nk100z stu2nk100z.pdf Size:453K _st

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STD2NK100Z STP2NK100Z - STU2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, TO-220, DPAK, IPAK Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) VDSS ID PTOT Type max 3 STD2NK100Z 1000 V < 8.5 ? 1.85 A 70 W 2 3 1 STP2NK100Z 1000 V < 8.5 ? 1.85 A 70 W 2 1 STU2NK100Z 1000 V < 8.5 ? 1.85 A 70 W IPAK TO-220 Extremely high dv/dt capability 3 1 100% avalanche tested Gate ch

4.2. stp2nk90z std2nk90z std2nk90z-1.pdf Size:598K _st

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STP2NK90Z - STD2NK90Z STD2NK90Z-1 N-channel 900V - 5? - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID PW (@Tjmax) 3 3 1 2 STD2NK90Z 900V <6.5? 2.1A 70W 1 STD2NK90Z-1 900V <6.5? 2.1A 70W TO-220 DPAK STP2NK90Z 900V <6.5? 2.1A 70W Extremely high dv/dt capability Improved esd capability 3 2 100% avalanche rated 1 IPAK Ga

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