STP2NK60Z Todos los transistores

 

STP2NK60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP2NK60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP2NK60Z Datasheet (PDF)

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 stq2nk60zr-ap stp2nk60z stf2nk60z std2nk60z-1.pdf pdf_icon

STP2NK60Z

STF2NK60Z - STQ2NK60ZR-APSTP2NK60Z - STD2NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 7.2 - 1.4A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAKZener-Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTF2NK60Z 600 V

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STP2NK60Z

STP2NK90Z - STD2NK90ZSTD2NK90Z-1N-channel 900V - 5 - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESH MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID PW(@Tjmax) 3312STD2NK90Z 900V

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STP2NK60Z

STD2NK90Z-1, STD2NK90ZT4, STP2NK90ZDatasheetN-channel 900 V, 5 typ., 2.1 A SuperMESH Power MOSFETs in IPAK, DPAK and TO-220 packagesFeaturesTAB TAB32VDS RDS(on) max. IDOrder code Package132IPAK DPAK1STD2NK90Z-1 IPAKTAB STD2NK90ZT4 900 V 6.5 2.1 A DPAKSTP2NK90Z TO-220 Extremely high dv/dt capability3TO-220 21 100% avalanche tested Ga

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STP2NK60Z

STD2NK100ZSTP2NK100Z - STU2NK100ZN-channel 1000 V, 6.25 , 1.85 A, TO-220, DPAK, IPAKZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) VDSS ID PTOTTypemax3STD2NK100Z 1000 V

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History: RJK0329DPB-00 | RP1H065SP | IRFZ44RPBF | HAT2282C | NTTFS4C13N | AP4506GEM | IRF5801PBF

 

 
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