STP34NM60N Todos los transistores

 

STP34NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP34NM60N
   Código: 34NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 173 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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STP34NM60N Datasheet (PDF)

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STF34NM60NSTP34NM60N, STW34NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 29 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-247, TO-220FPPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmax.3322STF34NM60N 600 V 0.105 29 A 40 W11STP34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 WTO-247TO-220STW34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 W 100% avalanche tested3 Low input capacitance and ga

 ..2. Size:1363K  st
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STB34NM60N, STP34NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 31.5 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDSS RDS(on) ID PTOTTABSTB34NM60NTAB600 V 0.105 31.5 A 250 WSTP34NM60N2 100% avalanche tested3312 Low input capacitance and gate charge12D PAK Low gate input resistanceTO-220Ap

 0.1. Size:1236K  st
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STB34NM60ND, STF34NM60ND, STP34NM60ND, STW34NM60NDN-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247Datasheet production dataFeatures TABOrder codes VDS @TJ max. RDS(on) max. ID31STB34NM60ND321D2PAKSTF34NM60NDTO-220FP650 V 0.110 29 A STP34NM60NDTABSTW34NM60ND The worlds bes

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STB34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231321STB34N65M5D2PAKI2PAKSTI34N65M5710 V 0.11 28 ATABSTP34N65M5STW34N65M5 Worldwide best RDS(on) * area332

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STB34N65M5, STF34N65M5, STFI34N65M5,STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order codes ID2TJmax max313STB34N65M52D2PAK1TO-220FPSTF34N65M5I2PAKFPSTFI34N65M5 TABTAB710 V

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